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壓電晶體生長(zhǎng)爐


 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

本設(shè)備是公司新研發(fā)的用于鉭酸鋰(LT)和鈮酸鋰(LN)等材料的壓電晶體生長(zhǎng)的設(shè)備。主要用于CZ法單晶的生產(chǎn),全自動(dòng)控制系統(tǒng)可提高晶體品質(zhì)和一致性,過(guò)程可控穩(wěn)定性高,減少人工干預(yù)、工作強(qiáng)度和成本。


 

壓電晶體生長(zhǎng)爐 技術(shù)參數(shù)

 

技術(shù)參數(shù):

爐體內(nèi)腔尺寸:φ800mm×1000mm

外形尺寸:1000mm×1000mm×2500mm

最大長(zhǎng)晶尺寸:6英寸

籽晶軸提拉行程:450mm

提拉運(yùn)動(dòng)最小線速度:0.01mm/hr

快速提拉速度:200mm/min

籽晶軸轉(zhuǎn)動(dòng)速度:0.1100r/min

稱(chēng)重系統(tǒng):稱(chēng)重傳感器量程20kg;信號(hào)放大器顯示精度0.01g

控制軟件:提拉法等徑控制軟件,采用上稱(chēng)重方法來(lái)控制晶體直徑,晶體形狀可隨意設(shè)計(jì),PID及運(yùn)動(dòng)參數(shù)可隨晶體形狀過(guò)渡變化,屏幕上數(shù)據(jù)交叉顯示提供生長(zhǎng)過(guò)程中數(shù)據(jù)綜合分析工具。

加熱電源:中頻感應(yīng)加熱

加熱最大輸出功率:30KW

真空系統(tǒng):機(jī)械泵抽真空

水冷系統(tǒng):爐腔、加熱線圈流量控制循環(huán)冷卻。
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